Optical properties of silicon nano layers by using Kramers- Kronig method

لايه هاي نازك سيليكون به روي زير لايه شيشه با ضخامت هاي متفاوت 103 نانومتر 147 نانومتر و 197 نانومتر انباشت شدهاند. لايه ها توسط روش تبخير تفنگ الكتروني تحت شرايط خلا فرا زياد توليد شدهه اند.طيف هاي بازتاب و تراگسيل لايه ها توسط روش اسپكتروفتومتر به دست امده است.توابع اپتيكي مانند قسمتهاي حقيقي و موهومي ضريب شكست و قسمتهاي حقيقي و موهومي ثابت دي الكتريك و قسمتهاي حقيقي و موهومي ضريب رسانندگي و گاف انرزي اپتيكي توسط روابط كرامرز- كرونيگ محاسبه شده اند. كسر حجمي حفره ها در لايه هاي سيليكون با استفاده از نظريه اسپنس محاسبه شده است.اثر ضخامت بر روي خواص اپتيكي لايه هاي سيليكون بررسي شده است.

Silicon thin layers are deposited on glass substrates with the thickness of 103 nm, 147 nm and 197 nm. The layers are produced with electron gun evaporation method under ultra-high vacuum con- dition. The optical Re ectance and the Transmittance of produced layers were measured by using spectrophotometer. The optical functions such as, real and imaginary part of refractive index, real and imaginary part of dielectric constant, real and imaginary part of conductivity, absorption coe- cient and optical band gap energy are calculated basing on the Kramers-Kronig relations. The void fractions of the silicon lms are calculated by using Aspnes theorem. The eect of layer thickness on optical properties of silicon thin lms is investigated.