Impact of Silicon Wafer Orientation on the Performance of Metal Source/Drain MOSFET in Nanoscale Regime: a Numerical Study

مطالعه جامع سد شاتكي MOSFET (SBMOSFET) ناشي از مقياس گذاري به منظور تعيين نقش جهت گيري ويفر و پارامترهاي ساختاري در عملكرد اين دستگاه در فرماليسم تابع سبز بدون تعادل انجام مي-شود. حد كوانتومي ارتفاع سد شاتكي موثر (SBH) را افزايش مي دهد. جهت گيري (100) ارتفاع سد شاتكي موثر كمتر در مقايسه با ويفرهاي (110) و (111) را نشان مي دهد. در طول كانال مقياس بدنه فوق العاده نازك SBMOSFET كاهش به رژيم در مقياس نانو، به خصوص براي SBHs موثر زياد، حد كوانتومي در امتداد كانال و انتشار از طريق حالات رزونانس گسسته را ايجاد كرده است. ما امكان تونل زني رزونانس در SBMOSFET را مورد مطالعه قرار داديم. جهت تونل زدن تشديدي (110) و (111) در ولتاژهاي ورودي بالاتر ظاهر مي شوند.

A comprehensive study of Schottky barrier MOSFET (SBMOSFET) scaling issue is performed to determine the role of wafer orientation and structural parameters on the performance of this device within Non-equilibrium Greenʹs Function formalism. Quantum confinement increases the effective Schottky barrier height (SBH). (100) orientation provides lower effective Schottky barrier height in comparison with (110) and (111) wafers. As the channel length of ultra thin body SBMOSFET scales down to nanoscale regime, especially for high effective SBHs, quantum confinement is created along the channel and current propagates through discrete resonance states. We have studied the possibility of resonant tunneling in SBMOSFET. Resonant tunneling for (110) and (111) orientations appear at higher gate voltages.