Author/Authors :
F. Matsukura، نويسنده , , D. Chiba، نويسنده , , T. Omiya، نويسنده , , E. Abe، نويسنده , , T. Dietl، نويسنده , , Y. Ohno، نويسنده , , K. Ohtani، نويسنده , , H. Ohno، نويسنده ,
Abstract :
Electric-field control of carrier-induced ferromagnetism is demonstrated for field-effect transistor structure of magnetic semiconductor (In,Mn)As. By varying the gate electric field one can control the ferromagnetic transition temperature isothermally and reversibly.
