Title of article
Liquid phase deposited SiO2 on GaN
Author/Authors
H.R. Wu، نويسنده , , K.W. Lee، نويسنده , , T.B. Nian، نويسنده , , D.W. Chou، نويسنده , , J.J.Huang Wu، نويسنده , , Y.H. Wang، نويسنده , , M.P. Houng، نويسنده , , P.W. Sze، نويسنده , , Y.K. Su، نويسنده , , S.J. Chang a، نويسنده , , C.H. Ho، نويسنده , , C.I. Chiang، نويسنده , , Y.T. Chern، نويسنده , , F.S Juang، نويسنده , , T.C. Wen، نويسنده , , W.I. Lee، نويسنده , , J.I Chyi، نويسنده ,
Issue Information
دوهفته نامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages
5
From page
329
To page
333
Abstract
An efficient and low cost approach to deposit uniform silicon dioxide layers on GaN by liquid phase deposition (LPD) near room temperature are described and discussed. The process is simple. GaN wafers are immersed into a H2SiF6 and H3BO3 solution to form the silicon dioxide layers. The deposition conditions and the properties of the SiO2 films will be characterized.
Keywords
Liquid phase deposition , Silicon dioxide
Journal title
Materials Chemistry and Physics
Serial Year
2003
Journal title
Materials Chemistry and Physics
Record number
1061322
Link To Document