Effects of the Spacer Length on the High-Frequency Nanoscale Field Effect Diode performance

در اين مقاله، عملكرد ديود اثر ميداني نانومتري بر حسب فاصله ميان گيت ها مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج شبيه سازي نشان مي دهند كه نسبت Ion/Ioff، كه پارامتر بسيار مهمي در كاربردهاي ديجيتال به شمار مي آيد، بين 10 تا 104 براي ساختار S-FED با افزايش فاصله بين دو گيت تغيير مي كند در حاليكه اين نسبت براي ساختار M-FED تقريباً ثابت است. در اينجا، عملكرد فركانس بالاي FEDها مورد بررسي قرار گرفته و فركانس قطع تزانزيستورهاي ذاتي بدون در نظر گرفتن خازن هاي پارازيتي محاسبه شده است. پارامترهاي شايستگي نظير تاخير ذاتي گيت و حاصل ضرب تاخير در انرژي براي ديودهاي اثر ميداني كه گزينه هاي مناسبي براي كاربردهاي منطقي در آينده بشمار مي آيند، مورد بررسي و مطالعه قرار گرفته است.

The performance of nanoscale Field Effect Diodes as a function of the spacer length between two gates is investigated. Our numerical results show that the Ion/Ioff ratio which is a significant parameter in digital application can be varied from 101 to 104 for S-FED as the spacer length between two gates increases whereas this ratio is approximately constant for M-FED. The high-frequency performance of FEDs is investigated and the cut-off frequency of the intrinsic transistor without parasitic capacitance is calculated. The figures of merit including intrinsic gate delay time and energy-delay product have been studied for the field effect diodes which are interesting candidates for future logic applications.