Preparation and Characterization of Tin Oxide Nanowires

هدف اين تحقيق، تهيه نانو سيم هاي SnO2 به روش رسوب گذاري با عبور بخار حاصل از واكنش هاي شيميايي حرارتي (TCRVTD) از پودرSnO مي باشد. ريخت شناسي (مورفولوژي) ، تركيب شيميايي و خواص نانوساختاري سيم ها با استفاده از تكنيك هاي ميكروسكوپ الكتروني روبشي گسيل ميدان (FE-SEM)، طيف سنجي انرژي پراكنده كننده (EDX) و پراش پرتوهاي ايكس (XRD) مطالعه گرديدند. نتايج پراش پرتوهاي ايكس مشخص نمود كه نانوسيم هاي SnO2 با ساختار بلوري تتراگونال با ثابت هاي شبكه اي a=b=0.440 nm و c=0.370 nm رشد يافته اند. تصاوير SEM بر رشد موفقيت آميز نانوسيم ها بر زيرلايه Si دلالت مي كنند. نقش EDS وجود عناصر Au, O, Sn را در نانوسيم ها آشكار مي كند. قطر نانو سيم ها در محدوده بين 20 nm تا 100 nm اندازه گيري شدند.

The aim of this research is preparation of SnO2 nanowires by means of Thermal chemical reaction vapor transport deposition (TCRVTD) method from SnO powders. The morphology, chemical composition and microstructure properties of the nanowires are characterized using field emission scanning electron microscope (FE-SEM), EDS, and XRD. The XRD diffraction patterns reveal that the SnO2 nanowires have been grown in the form of tetragonal crystal structures with the lattice parameter of a=b=0.440 nm, and c=0.370 nm. The SEM images reveal that SnO2 nanowires have successfully been grown on the Si substrate. The EDS patterns show that only elements of Sn, O and Au are detected. Prior to the VLS process the substrate is coated by a thin layer of Au. The diameter of nanowires is measured to be something between 20-100 nm.