Author/Authors :
Marczewski، نويسنده , , J. and Caccia، نويسنده , , M. and Domanski، نويسنده , , K. and Grabiec، نويسنده , , P. and Grodner، نويسنده , , M. and Jaroszewicz، نويسنده , , B. and Klatka، نويسنده , , T. and Kociubinski، نويسنده , , A. and Koziel، نويسنده , , M. and Kucewicz، نويسنده , , W. and Kucharski، نويسنده , , K. and Kuta، نويسنده , , S. and Niemiec، نويسنده , , H. and Sapor، نويسنده , , M. and Szelezniak، نويسنده , , M. Santos Tomas، نويسنده ,
Abstract :
This paper describes a monolithic silicon pixel detector for ionizing radiation manufactured using the Silicon On Insulator (SOI) technology. In this novel device, the sensor is implemented in a high resistive SOI bottom wafer while the associated CMOS read-out circuits are built in a SOI device layer. Preliminary measurements of simple test detectors are presented. They prove that the detector is working properly showing the typical sensitivity of a fully depleted Silicon detector.
