Author/Authors :
Ban، نويسنده , , J. and Brettel، نويسنده , , H. and Cheplakov، نويسنده , , A. and Cwienk، نويسنده , , W. and Fent، نويسنده , , J. and Golikov، نويسنده , , V. and Golubyh، نويسنده , , Marjo S. and Jakobs، نويسنده , , K. and Kukhtin، نويسنده , , V. and Kulagin، نويسنده , , E. and Kurchaninov، نويسنده , , L. and Ladygin، نويسنده , , E. and Luschikov، نويسنده , , V. and Oberlack، نويسنده , , H. and Obudovsky، نويسنده , , V. and Schacht، نويسنده , , P. a، نويسنده ,
Abstract :
Highly integrated Gallium Arsenide (GaAs) chips of preamplifiers and summing amplifiers have been exposed to high fluence of fast neutrons and γ -dose at the IBR-2 reactor in Dubna. A stable performance of the electronics has been demonstrated up to a fluence of 5 × 10 14 n cm - 2 and a γ -dose of 55 kGy. The radiation hardness tests confirm the applicability of the preamplifiers for more than 10 years operation in the ATLAS hadronic end-cap calorimeter at LHC.
Keywords :
GaAs , amplifier , Radiation damages , Calorimeter , LHC
