Author/Authors :
Litz، نويسنده , , T. and Lugauer، نويسنده , , H.J. and Fischer، نويسنده , , F. and Zehnder، نويسنده , , U. and Lunz، نويسنده , , U. and Gerhard، نويسنده , , T. and Ress، نويسنده , , H. and Waag، نويسنده , , A. and Landwehr، نويسنده , , G.، نويسنده ,
Abstract :
This article will give a short overview about some aspects of the molecular beam epitaxy (MBE) of Be-containing II–VI compounds on GaAs substrates. BeTe, BeMgTe, BeMgZnSe, BeZnSeTe, BeZnCdSe layers and ZnSe-BeTe superlattices have been produced. The growth regime and some properties of these new materials will be presented here.
