Title of article :
Transport property of α-(BEDT-TTF)2I3 under high pressure–ultra narrow gap semiconductor
Author/Authors :
Tajima، نويسنده , , Naoya and Ebina، نويسنده , , Akiko and Tamura، نويسنده , , Masafumi and Nishio، نويسنده , , Yutaka and Kajita، نويسنده , , Koji، نويسنده ,
Issue Information :
دوماهنامه با شماره پیاپی سال 2001
Pages :
2
From page :
935
To page :
936
Journal title :
Synthetic Metals
Serial Year :
2001
Journal title :
Synthetic Metals
Record number :
2074522
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=2074522