Title of article :
Thick and large area PIN diodes for hard X-ray astronomy
Author/Authors :
Ota، نويسنده , , N. and Murakami، نويسنده , , T. and Sugizaki، نويسنده , , M. and Kaneda، نويسنده , , M. and Tamura، نويسنده , , T. and Ozawa، نويسنده , , H. and Kamae، نويسنده , , T. and Makishima، نويسنده , , K. and Takahashi، نويسنده , , T. and Tashiro، نويسنده , , M. and Fukazawa، نويسنده , , Y. and Kataoka، نويسنده , , J. and Yamaoka، نويسنده , , K. and Kubo، نويسنده , , S. and Tanihata، نويسنده , , C. and Uchiyama، نويسنده , , Y. and Matsuzaki، نويسنده , , K. and Iyomoto، نويسنده , , N. and Kokubun، نويسنده , , M. and Nakazawa، نويسنده , , T. and Kubota، نويسنده , , A. and Mizuno، نويسنده , , T. and Matsumoto، نويسنده , , Y. and Isobe، نويسنده , , N. and Terada، نويسنده , , Y. and Sugiho، نويسنده , , M. and Onishi، نويسنده , , T. and Kubo، نويسنده , , H. and Ikeda، نويسنده , , H. and Nomachi، نويسنده , , M. and Ohsugi، نويسنده , , T. and Muramatsu، نويسنده , , M. and Akahori، نويسنده , , H.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 1999
Pages :
6
From page :
291
To page :
296
Abstract :
Thick and large area PIN diodes for the hard X-ray astronomy in the 10–60 keV range are developed. To cover this energy range in a room temperature and in a low background environment, Si PIN junction diodes of 2 mm in thickness with 2.5 cm2 in effective area were developed, and will be used in the bottom of the Phoswich Hard X-ray Detector (HXD), on-board the ASTRO-E satellite. Problems related to a high purity Si and a thick depletion layer during our development and performance of the PIN diodes are presented in detail.
Keywords :
Na contamination , Si PIN diode , Hard X-ray astronomy , Thick
Journal title :
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
Serial Year :
1999
Journal title :
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
Record number :
2183570
Link To Document :
بازگشت