Title of article :
Silicon detectors irradiated “in situ” at cryogenic temperatures
Author/Authors :
Ruggiero، نويسنده , , G and Abreu، نويسنده , , M and Bell، نويسنده , , W and Berglund، نويسنده , , P and de Boer، نويسنده , , W and Borer، نويسنده , , K and Buontempo، نويسنده , , S and Casagrande، نويسنده , , L and Chapuy، نويسنده , , S and Cindro، نويسنده , , V and Collins، نويسنده , , P and D’Ambrosio، نويسنده , , N and Da Vi?، نويسنده , , C and Devine، نويسنده , , S.R.H and Dezillie، نويسنده , , B and Dimcovski، نويسنده , , Z and Eremin، نويسنده , , V and Esposito، نويسنده , , A and Granata، نويسنده , , V and Grigoriev، نويسنده , , E and Grohmann، نويسنده , , S and Hauler، نويسنده , , F and Heijne، نويسنده , , E and Heising، نويسنده , , S and Janos، نويسنده , , S and Jungermann، نويسنده , , L and Konorov، نويسنده , , I and Li، نويسنده , , Z and Lourenço، نويسنده , , C and Mikuz، نويسنده , , M and Niinikoski، نويسنده , , T.O and O’Shea، نويسنده , , V and Pagano، نويسنده , , S and Palmieri، نويسنده , , V.G. and Paul، نويسنده , , S and Pretzl، نويسنده , , K and Mendes، نويسنده , , P.Rato and Smith، نويسنده , , K and Sonderegger، نويسنده , , P and Sousa، نويسنده , , P and Verbitskaya، نويسنده , , E and Watts، نويسنده , , S and Zavrtanik، نويسنده , , M، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages :
5
From page :
583
To page :
587
Abstract :
Though several studies have proved the radiation tolerance of silicon detectors at cryogenic temperatures, following room temperature irradiation, no previous investigation has studied the behaviour of detectors irradiated “in situ” at low temperatures. In this work, effects of irradiation of 450 GeV protons at 83 K will be presented, showing that after a dose of 1.2×1015 p cm−2 a charge collection efficiency (CCE) of 55% is reached at 200 V before the annealing. The same results were found at the end of the irradiation, after the sample has spent more then one year at room temperature. This shows that the CCE recovery by low temperature operation is not affected by the temperature of irradiation and by the reverse annealing.
Keywords :
Cryogenics , Silicon detectors
Journal title :
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
Serial Year :
2002
Journal title :
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
Record number :
2193561
Link To Document :
بازگشت