Author/Authors :
Perea Solano، نويسنده , , B. and Abreu، نويسنده , , M.C. and Avati، نويسنده , , V. and Boccali، نويسنده , , T. and Boccone، نويسنده , , V. and Bozzo، نويسنده , , M. and Capra، نويسنده , , R. and Casagrande، نويسنده , , L. and Chen، نويسنده , , W. and Eggert، نويسنده , , K. and Heijne، نويسنده , , E. and Klauke، نويسنده , , S. and Li، نويسنده , , Z. and Mنki، نويسنده , , T. and Mirabito، نويسنده , , L. and Morelli، نويسنده , , A. and Niinikoski، نويسنده , , T.O. and Oljemark، نويسنده , , F. and Palmieri، نويسنده , , V.G. and Rato Mendes، نويسنده , , P. and Rodrigues، نويسنده , , S. and Siegrist، نويسنده , , P. and Silvestris، نويسنده , , L. and Sousa، نويسنده , , P. and Tapprogge، نويسنده , , S. and Trocmé، نويسنده , , B.، نويسنده ,
Abstract :
We report measurements in a high-energy pion beam of the sensitivity of the edge region in “edgeless” planar silicon pad diode detectors diced through their contact implants. A large surface current on such an edge prevents the normal reverse biasing of the device, but the current can be sufficiently reduced by the use of a suitable cutting method, followed by edge treatment, and by operating the detector at low temperature. The depth of the dead layer at the diced edge is measured to be (12.5±8stat..±6syst.) μm.
