Author/Authors :
Ikeda، نويسنده , , H. and Arai، نويسنده , , Y. and Hara، نويسنده , , K. and Hayakawa، نويسنده , , H. and Hirose، نويسنده , , K. and Ikegami، نويسنده , , Y. and Ishino، نويسنده , , H. and Kasaba، نويسنده , , Y. and Kawasaki، نويسنده , , T. and Kohriki، نويسنده , , T. and Martin، نويسنده , , E. and Miyake، نويسنده , , H. and Mochizuki، نويسنده , , A. and Tajima، نويسنده , , H. and Tajima، نويسنده , , O. and Takahashi، نويسنده , , T. and Takashima، نويسنده , , T. and Terada، نويسنده , , S. and Tomita، نويسنده , , H. and Tsuboyama، نويسنده , , T. and Unno، نويسنده , , Y. and Ushiroda، نويسنده , , H. and Varner، نويسنده , , G.، نويسنده ,
Abstract :
In order to confirm benefits of a deep sub-micron FD-SOI and to identify possible issues concerning front-end circuits with the FD-SOI, we have submitted a small design to Oki Electric Industry Co., Ltd. via the multi-chip project service of VDEC, the University of Tokyo. The initial test results and future plans for development are presented.
Keywords :
Radiation effect , Deep sub-micron CMOS , CMOS analog , Front-end , FD-SOI
