• Title of article

    Influence of crystal-orientation effects on pulse-shape-based identification of heavy-ions stopped in silicon detectors

  • Author/Authors

    Bardelli، نويسنده , , L. M. Bini، نويسنده , , M. and Casini، نويسنده , , G. and Pasquali، نويسنده , , G. M. Poggi، نويسنده , , G. and Barlini، نويسنده , , S. and Becla، نويسنده , , A. and Berjillos، نويسنده , , R. and Borderie، نويسنده , , B. and Bougault، نويسنده , , R. and Bruno، نويسنده , , M. and Cinausero، نويسنده , , M. and D’Agostino، نويسنده , , M. and De Sanctis، نويسنده , , J. and Due?as، نويسنده , , J.A. and Edelbruck، نويسنده , , P. and Geraci، نويسنده , , E. and Gramegna، نويسنده , , F. and Kordyasz، نويسنده , , A. and Kozik، نويسنده , , T. and Kravchuk، نويسنده , , V.L. and Lavergne، نويسنده , , L. and Marini، نويسنده , , P. and Nannini، نويسنده , , A. G. Negoita، نويسنده , , F. and Olmi، نويسنده , , A. and Ordine، نويسنده , , A. and Piantelli، نويسنده , , S. and Rauly، نويسنده , , E. and Rivet، نويسنده , , M.F. and Rosato، نويسنده , , E. and Scian، نويسنده , , C. and Stefanini، نويسنده , , A.A. and Vannini، نويسنده , , G. and Velica، نويسنده , , S. and Vigilante، نويسنده , , M.، نويسنده ,

  • Issue Information
    روزنامه با شماره پیاپی سال 2009
  • Pages
    6
  • From page
    353
  • To page
    358
  • Abstract
    Current and charge signals have been collected for Se ions at 408 MeV, S at 160 MeV and Ni at 703 MeV, all stopped in silicon detectors. Some detectors were cut 0 ∘ off the 〈 1 1 1 〉 axis and some off the 〈 1 0 0 〉 axis. Important effects on the shape of the silicon current and charge signals have been observed, depending on the orientation of the impinging ion relative to the crystal axes and planes. adation of the energy and risetime resolution of about a factor ∼ 3 with respect to the measured optimal values (for example 7 ∘ off-axis orientation) is observed for ion impinging directions close to crystal axes and/or planes, i.e. the common scenario for normal incidence on 0 ∘ cut detectors. lse Shape Analysis applications, the necessity of using such “random” oriented silicon detectors is demonstrated.
  • Keywords
    Crystal orientation effects , Solid state detectors , Digital sampling , Pulse shape analysis
  • Journal title
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
  • Serial Year
    2009
  • Journal title
    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A
  • Record number

    2211387