Depot chimique en phase vapeur et a basse pression de couches minces a base de silicium dans un reacteur a lampes halogene

Le depot chimique en phase vapeur et a basse pression dans un four a lampes halogene quʹon designe communement par RTLPCVD (rapid thermal low-pressure chemical vapor deposition) est une technique prometteuse dans I ʹelaboration de couches minces a base de silicium. En effet, la reduction du temps global des precedes et la faible consommation de gaz reactifs dans les reacteurs a traitement thermique rapide (RTF : rapid thermal processing) permettent dʹenvisager de nouvelles technologies de fabrication de dispositifs (microcapteurs, cellules solaires) relativement moins polluantes par rapport aux technologies classiques. Dans notre installation RTF, nous disposons dʹun certain nombre de gaz (SiH4, NH3, N^2O, O2, PH3, B(2)H(6)) qui nous permettent de deposer par RTLFCVD, differentes couches minces a base de silicium : silicium polycristallin (poly-Si) intrinseque ou dope in situ, nitrure (Si-N) et oxynitrure (Si-O-N) de silicium. Dans cet article, nous presentons une revue de nos resultats concemant 1ʹ eʹtude des cinetiques de depot et des proprietes physiques de ces couches minces. On montre que des couches RTLFCVD ayant des proprietes structurales, electriques et optiques interessantes peuvent etre realisees dans notre four a lampes en contrOlant parfaitement les parametres de depot tels que la temperature, la pression et les rapports de flux gazeux.