Abstract :
في هذا البحث تم تحضير اغشية CdSe على قواعد زجاجية بطريقة التبخير الحراري في الفراغ وبسمك 2.50nmوبمعدلات s/nm ترسيب(0.2,0.4,0.6,0.8,1,1.2 ) ودرجات حرارة اساس مختلفة K( 300,373,433,473) وحساب معامل سيباك وطاقة التنشيط وقد تبين ان جميع الاغشية وبكافة معدلات الترسيب هي من نوع ( n-type )وان طاقة التنشيط تزداد مع زيادة كل من معدل الترسيب 0.8 s/nm ودرجة حرارة اساس 452K والاغشية المحضرة بمعدل ترسيب 1.2 s/nm ودرجات حرارة اساس 425,475K فقد كان من نوع P- type .
