Title of article :
InAs/AlxGa1−xAs quantum dot infrared photodetectors with undoped active region
Author/Authors :
Z. H. Chen، نويسنده , , O. Baklenov، نويسنده , , E. T. Kim، نويسنده , , I. Mukhametzhanov، نويسنده , , J. Tie، نويسنده , , A. Madhukar، نويسنده , , Z. Ye، نويسنده , , J. C. Campbell، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2001
Pages :
6
From page :
479
To page :
484
Keywords :
Quantum dot , Infrared photodetector , Intraband transition , Indium arsenide , Photocurrent , Galium arsenide
Journal title :
Infrared Physics & Technology
Serial Year :
2001
Journal title :
Infrared Physics & Technology
Record number :
327737
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=327737
بازگشت