مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Electronic transport properties of HgMnTe n+

Title of article :

Electronic transport properties of HgMnTe n+–p junctions

Author/Authors :

L. A. Kosyachenko، نويسنده , , S. E. Ostapov، نويسنده , , A. V. Markov، نويسنده , , I. M. Rarenko، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

Pages :

From page :

To page :

Keywords :

Infrared detector , HgCdTe , Narrow-gap semiconductor , HgMnTe

Journal title :

Infrared Physics & Technology

Serial Year :

2003

Journal title :

Infrared Physics & Technology

Record number :

327800

Link To Document :