Title of article
Characteristics of high responsivity 8.5 μm InGaAs/InP QWIPs grown by metalorganic vapour phase epitaxy
Author/Authors
B.M. Arora، نويسنده , , A. Majumdar، نويسنده , , A.P. Shah، نويسنده , , M.R. Gokhale، نويسنده , , S. Ghosh، نويسنده , , A. Bhattacharya، نويسنده , , D. Sengupta، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
5
From page
206
To page
210
Keywords
Responsivity , InGaAs–InP , Quantum well infrared photodetector
Journal title
Infrared Physics & Technology
Serial Year
2007
Journal title
Infrared Physics & Technology
Record number
328129
Link To Document