Characteristics of high responsivity 8.5 μm InGaAs/InP QWIPs grown by metalorganic vapour phase epitaxy

B.M. Arora، نويسنده , , A. Majumdar، نويسنده , , A.P. Shah، نويسنده , , M.R. Gokhale، نويسنده , , S. Ghosh، نويسنده , , A. Bhattacharya، نويسنده , , D. Sengupta، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

5

206

210

Responsivity , InGaAs–InP , Quantum well infrared photodetector

Infrared Physics & Technology

2007

Infrared Physics & Technology

328129