مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - A new analytical IGBT model with improved electrical characteristics

Title of article :

A new analytical IGBT model with improved electrical characteristics

Author/Authors :

Kuang Sheng، نويسنده , , Finney، نويسنده , , S.J، نويسنده , , Williams، نويسنده , , B.W.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1999

Pages :

From page :

To page :

107

Keywords :

IGBT , model , on-state voltage , two-dimensionaleffects.

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Serial Year :

1999

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Record number :

339950

Link To Document :