Influence of the gate internal impedance on losses in a power MOS transistor switching at a high frequency in the ZVS mode

Lefebvre، نويسنده , , S، نويسنده , , Costa، نويسنده , , F، نويسنده , , Miserey، نويسنده , , F.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2002

7

33

39

High switching frequency , internal gate characterization , source impedance , Poxer MOSFET , zero voltageswitching mode.

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

2002

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

340286