Title of article :
Two-Step Parameter Extraction Procedure With Formal Optimization for Physics-Based Circuit Simulator IGBT and PIN
Diode Models
Author/Authors :
A. T. Bryant، نويسنده , , X. Kang and H. M. Shang، نويسنده , , E. Santi، نويسنده , , P. R. Palmer and H. S. Rajamani، نويسنده , , and J. L. Hudgins، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Keywords :
Insulated gate bipolar transistor (IGBT) model , optimized parameter extraction , parameter extraction , powerdiode model , semiconductor modeling.
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Journal title :
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
