Title of article
Analytical Loss Model of Power MOSFET .
Author/Authors
Y. Ren، نويسنده , , M. Xu، نويسنده , , J. Zhou، نويسنده , , and F. C. Lee، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages
10
From page
310
To page
319
Keywords
Finite element analysis (FEA) , metal-oxide semiconductorfield-effect transistor (MOSFET).
Journal title
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Serial Year
2006
Journal title
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Record number
340801
Link To Document