Title of article
Silicon Carbide Power MOSFET Modeland Parameter Extraction Sequence
Author/Authors
T. R. McNutt، نويسنده , , A. R. Hefner، نويسنده , , H. A. Mantooth، نويسنده , , D. Berning، نويسنده , , and S.-H. Ryu، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
11
From page
353
To page
363
Keywords
DiMOSFET , silicon carbide (SiC).
Journal title
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Serial Year
2007
Journal title
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
Record number
341015
Link To Document