مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Silicon Carbide Power MOSFET Modeland Parameter Extraction Sequence

Title of article :

Silicon Carbide Power MOSFET Modeland Parameter Extraction Sequence

Author/Authors :

T. R. McNutt، نويسنده , , A. R. Hefner، نويسنده , , H. A. Mantooth، نويسنده , , D. Berning، نويسنده , , and S.-H. Ryu، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

Pages :

From page :

353

To page :

363

Keywords :

DiMOSFET , silicon carbide (SiC).

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Serial Year :

2007

Journal title :

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS

Record number :

341015

Link To Document :