Title of article :
Strain relaxation in III–V semiconductor heterostructures
Author/Authors :
P. J. Goodhew ، نويسنده , , K. Giannakopoulos، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 1999
Pages :
6
From page :
59
To page :
64
Keywords :
Strain relaxation , InGaAs/GaAs system , semiconductors
Journal title :
Micron
Serial Year :
1999
Journal title :
Micron
Record number :
356765
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=356765
بازگشت