مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Nitridation of gate and tunnel oxides employed in CMOS-ULSI technology

Title of article :

Nitridation of gate and tunnel oxides employed in CMOS-ULSI technology

Author/Authors :

C. Gerardi، نويسنده , , M. Melanotte، نويسنده , , B. Crivelli، نويسنده , , R. Zonca ، نويسنده , , M. Aless، نويسنده , , ri، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2000

Pages :

From page :

291

To page :

297

Keywords :

Nitridation , Gate and tunnel oxides , CMOS-ULSI technology

Journal title :

Micron

Serial Year :

2000

Journal title :

Micron

Record number :

356846

Link To Document :