Title of article :
Strain-driven morphology of Si1−xGex islands grown on Si(100)
Author/Authors :
N. Pinto، نويسنده , , R. Murri، نويسنده , , R. Rinaldi، نويسنده , , G. Barucca، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2000
Keywords :
SiGe , islands , Atomic force microscopy , TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY , Energy dispersive spectroscopy , Strain , Defects , diffusion
