Title of article :
Modelling of the quasisaturation behaviour in the high-voltage MOSFET with vertical trench gate
Author/Authors :
Zeng، نويسنده , , J.; Mawby، نويسنده , , P.A.; Towers، نويسنده , , M.S.; Board، نويسنده , , K.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 1996
Pages :
5
From page :
28
To page :
32
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Serial Year :
1996
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Record number :
371084
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=371084
