مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Novel low-voltage BiCMOS digital circuits employing a lateral p-n-p BJT in a p-MOS structure

Title of article :

Novel low-voltage BiCMOS digital circuits employing a lateral p-n-p BJT in a p-MOS structure

Author/Authors :

Rofail، نويسنده , , S.S.; Seng، نويسنده , , Y.K.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1996

Pages :

From page :

To page :

Journal title :

I E T Circuits, Devices and Systems

Serial Year :

1996

Journal title :

I E T Circuits, Devices and Systems

Record number :

371092

Link To Document :