مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - 6H silicon carbide MOSFET modelling for high temperature analogue integrated circuits (25-500°C)

Title of article :

6H silicon carbide MOSFET modelling for high temperature analogue integrated circuits (25-500°C)

Author/Authors :

Rebello، نويسنده , , N.S.; Shoucair، نويسنده , , F.S.; Palmour، نويسنده , , J.W.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1996

Pages :

From page :

115

To page :

122

Journal title :

I E T Circuits, Devices and Systems

Serial Year :

1996

Journal title :

I E T Circuits, Devices and Systems

Record number :

371097

Link To Document :