Title of article
Impact of 0.25 μm dual gate oxide thickness CMOS process on flicker noise performance of multifingered deep-submicron MOS devices
Author/Authors
Chew، نويسنده , , K.W.; Yeo، نويسنده , , K.S.; Chu، نويسنده , , S.-F.; Wang، نويسنده , , Y.M.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2001
Pages
6
From page
312
To page
317
Journal title
I E T Circuits, Devices and Systems
Serial Year
2001
Journal title
I E T Circuits, Devices and Systems
Record number
371448
Link To Document