Reliability studies of Hf-doped and NH/sub 3/-nitrided gate dielectric for advanced CMOS application

Yang، نويسنده , , C.W.; Fang، نويسنده , , Y.K.; Chen، نويسنده , , S.F.; Lin، نويسنده , , C.S.; Lin، نويسنده , , C.Y.; Wang، نويسنده , , W.D.; Chou، نويسنده , , T.H.; Lin، نويسنده , , P.J.; Wang، نويسنده , , M.F.; Hou، نويسنده , , T.H.; Yao، نويسنده , , L.G.; Chen، نويسنده , , S.C.; Liang، نويسنده , , M.S.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

4

407

410

I E T Circuits, Devices and Systems

2005

I E T Circuits, Devices and Systems

371733