مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Photoelectron diffraction study of the Si(001)c(4×4)

Title of article :

Photoelectron diffraction study of the Si(001)c(4×4)–C surface

Author/Authors :

R. Kosugi، نويسنده , , T. Abukawa، نويسنده , , M. Shimomura، نويسنده , , S. Sumitani، نويسنده , , H. -W. Yeom، نويسنده , , T. Hanano، نويسنده , , K. Tono، نويسنده , , S. Suzuki، نويسنده , , S. Sato، نويسنده , , T. Ohta، نويسنده , , S. Kono and Y. Takakuwa، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1999

Pages :

From page :

239

To page :

243

Keywords :

C H , Carbonization , Si(001)c(434)–C surface , Initial stage 3C–SiC growth , Surface alloy , Synchrotron 2 4radiation , X-ray photoelectron diffraction

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Serial Year :

1999

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Record number :

379261

Link To Document :

https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=379261