مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Photoemission study of β-SiC growth by a polyimide Langmuir

Title of article :

Photoemission study of β-SiC growth by a polyimide Langmuir–Blodgett film on silicon

Author/Authors :

Haibin Pan، نويسنده , , Hongzhi Guo، نويسنده , , Erdong Lu، نويسنده , , Faqiang Xu، نويسنده , , Pengshou Xu، نويسنده , , Xinyi Zhang، نويسنده , , Pingsheng He and Beifang Yang، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1999

Pages :

From page :

685

To page :

688

Keywords :

epitaxy , Photoelectron spectroscopies , Polyimide Langmuir–Blodgett film , SiC , Wide gap semiconductor

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Serial Year :

1999

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Record number :

379341

Link To Document :

https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=379341