مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Nitrogen K-edge X-ray absorption measurements on N- and O-implanted GaN

Title of article :

Nitrogen K-edge X-ray absorption measurements on N- and O-implanted GaN

Author/Authors :

M. Katsikini، نويسنده , , E. C. Paloura، نويسنده , , J. Bollmann، نويسنده , , E. Holub-Krappe and W. T. Masselink، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1999

Pages :

From page :

689

To page :

694

Keywords :

GaN , Ion implantation , EXAFS , NEXAFS , Defects , Binary semiconductors

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Serial Year :

1999

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Record number :

379342

Link To Document :