مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Final state contribution to the Si 2p binding energy shift in SiO2/Si(1 0 0)

Title of article :

Final state contribution to the Si 2p binding energy shift in SiO2/Si(1 0 0)

Author/Authors :

Th. Eickhoff، نويسنده , , V. Medicherla and W. Drube، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

Pages :

From page :

To page :

Keywords :

Final state relaxation , Chemical shift , SiO2 , High-energy photoemission , Auger parameter

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Serial Year :

2004

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Record number :

380013

Link To Document :