مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Interface formation and reactions at Ta–Si and Ta

Title of article :

Interface formation and reactions at Ta–Si and Ta–SiO2 interfaces studied by XPS and ARXPS

Author/Authors :

M. Zier، نويسنده , , S. Oswald and K. Wetzig، نويسنده , , R. Reiche، نويسنده , , M. Kozlowska and K. Wetzig، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

Pages :

From page :

229

To page :

233

Keywords :

Diffusion barrier , tantalum , XPS , Depth profiling , Silicon dioxide , Silicon

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Serial Year :

2004

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Record number :

380038

Link To Document :