Angle-resolved XPS studies on transition layers at SiO2/Si interfaces

T. Hattori، نويسنده , , K. Azuma، نويسنده , , Y. Nakata، نويسنده , , H. Nohira، نويسنده , , Y. Ishihara and H. Okamoto، نويسنده , , E. Ikenaga، نويسنده , , K. Kobayashi، نويسنده , , Y. Takata and S. Shin، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

4

457

460

XPS , Electron escape depth , Oxidation process , Atomic oxygen

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

2005

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

380333