Title of article :
Interface reaction of poly-Si/high-k insulator systems studied by hard X-ray photoemission spectroscopy
Author/Authors :
E. Ikenaga، نويسنده , , I. Hirosawa، نويسنده , , A. Kitano، نويسنده , , Y. Takata، نويسنده , , A. Muto، نويسنده , , T. Maeda، نويسنده , , K. Torii، نويسنده , , H. Kitajima، نويسنده , , T. Arikado، نويسنده , , A. Takeuchi، نويسنده , , M. Awaji، نويسنده , , K. Tamasaku، نويسنده , , T. Ishikawa، نويسنده , , S. Komiya and K. Kobayashi، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2005
Pages :
4
From page :
491
To page :
494
Keywords :
High-k gate dielectrics , Hard X-ray photoemission spectroscopy
Journal title :
JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA
Serial Year :
2005
Journal title :
JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA
Record number :
380341
Link To Document :
بازگشت