Title of article
Temperature-induced valence transition in EuNi2(Si0.20Ge0.80)2 studied by hard X-ray photoemission spectroscopy
Author/Authors
Kazuya Yamamoto، نويسنده , , Nozomu Kamakura، نويسنده , , Munetaka Taguchi، نويسنده , , Ashish Chainani، نويسنده , , Yasutaka Takata، نويسنده , , Koji Horiba، نويسنده , , Shik Shin، نويسنده , , Eiji Ikenaga، نويسنده , , Kojiro Mimura، نويسنده , , Masayuki Shiga، نويسنده , , Hirofumi Wada، نويسنده , , Hirofumi Namatame، نويسنده , , Masaki Taniguchi، نويسنده , , Mitsuhiro Awaji، نويسنده , , Akihisa Takeuchi، نويسنده , , Yoshinori Nishino، نويسنده , , Daigo Miwa، نويسنده , , Kenji Tamasaku، نويسنده , , Tetsuya Ishikawa and Keisuke Kobayashi، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2005
Pages
3
From page
553
To page
555
Keywords
Temperature-induced valence transition , rare-earth compounds , EuNi2(Si1?xGex)2 , Hard X-ray photoemission
Journal title
JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA
Serial Year
2005
Journal title
JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA
Record number
380356
Link To Document