Effective attenuation length of Al Kα-excited Si2p photoelectrons in SiO2, Al2O3 and HfO2 thin films

R.G. Vitchev، نويسنده , , Chr. Defranoux، نويسنده , , J. Wolstenholme، نويسنده , , T. Conard، نويسنده , , H. Bender and J.J. Pireaux، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

8

37

44

XPS , Effective attenuation length , High-k material

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

2005

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

380538