Comparison of high-power IGBTʹs and hard-driven GTOʹs for high-power inverters

Bernet، نويسنده , , S.، نويسنده , , Teichmann، نويسنده , , R.، نويسنده , , Zuckerberger، نويسنده , , A.، نويسنده , , Steimer، نويسنده , , P.K.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 1999

9

487

495

insulatedgate bipolar transistor , Hard-driven gate-turn-off thyristor , Losses , pulsewidth modulation inverter.

IEEE Transactions on Industry Applications

1999

IEEE Transactions on Industry Applications

380797