مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - High-temperature operation of SiC planar ACCUFET

Title of article :

High-temperature operation of SiC planar ACCUFET

Author/Authors :

Chilukuri، نويسنده , , R.K.، نويسنده , , Shenoy، نويسنده , , P.M.، نويسنده , , Baliga، نويسنده , , B.J.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1999

Pages :

From page :

1458

To page :

1462

Keywords :

specific on-resistance. , ACCUFET , breakdown voltage , silicon carbide

Journal title :

IEEE Transactions on Industry Applications

Serial Year :

1999

Journal title :

IEEE Transactions on Industry Applications

Record number :

380922

Link To Document :