Title of article :
Characteristics and utilization of a new class of low on-resistance MOS-gated power device
Author/Authors :
Jih-Sheng Lai، نويسنده , , Byeng-Mun Song، نويسنده , , Rui Zhou، نويسنده , , Hefner، نويسنده , , A.، نويسنده , , Jr.، نويسنده , , Berning، نويسنده , , D.W.، نويسنده , , Chih-Chieh Shen، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2001
Pages :
8
From page :
1282
To page :
1289
Keywords :
Cool MOS , powerMOSFET. , high-voltage MOSFET
Journal title :
IEEE Transactions on Industry Applications
Serial Year :
2001
Journal title :
IEEE Transactions on Industry Applications
Record number :
381270
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=381270
