Title of article :
A new punch-through IGBT having a new n-buffer layer
Author/Authors :
Iwamoto، نويسنده , , H.، نويسنده , , Haruguchi، نويسنده , , H.، نويسنده , , Tomomatsu، نويسنده , , Y.، نويسنده , , Donlon، نويسنده , , J.F.، نويسنده , , Motto، نويسنده , , E.R.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages :
7
From page :
168
To page :
174
Keywords :
insulated gate bipolar transistor , power semiconductor.
Journal title :
IEEE Transactions on Industry Applications
Serial Year :
2002
Journal title :
IEEE Transactions on Industry Applications
Record number :
381364
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=381364
