Title of article
Temperature Effects on Trench-Gate Punch-Through IGBTs
Author/Authors
Enrico Santi، نويسنده , , Xiaosong Kang، نويسنده , , Antonio Caiafa، نويسنده , , Jerry L. Hudgins، نويسنده , , Patrick R. Palmer، نويسنده , , Dale Q. Goodwine، نويسنده , , and Antonello Monti، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2004
Pages
11
From page
472
To page
482
Keywords
Electrothermal semiconductor models , insulatedgate bipolar transistor (IGBT) , power semiconductor modeling , physics-based power semiconductormodels , punch-through(PT) IGBT.
Journal title
IEEE Transactions on Industry Applications
Serial Year
2004
Journal title
IEEE Transactions on Industry Applications
Record number
381584
Link To Document