Title of article
Memories of tomorrow
Author/Authors
Reohr، نويسنده , , W.، نويسنده , , Honigschmid، نويسنده , , H.، نويسنده , , Robertazzi، نويسنده , , R.، نويسنده , , Gogl، نويسنده , , D.، نويسنده , , Pesavento، نويسنده , , F.، نويسنده , , Lammers، نويسنده , , S.، نويسنده , , Lewis، نويسنده , , K.، نويسنده , , Arndt، نويسنده , , C.، نويسنده , , Yu Lu، نويسنده , , Viehmann، نويسنده , , H.، نويسنده , , Scheuerlein، نويسنده , , R.، نويسنده , , Li-Kong Wang، نويسنده , , Trouilloud، Wiline نويسنده , , P.، نويسنده , , Parkin، نويسنده , , S.، نويسنده , , Gallagher، نويسنده , , W.، نويسنده , , Muller، نويسنده , , G.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages
11
From page
17
To page
27
Abstract
With the promise of nonvolatility, practically infinite write endurance, and short read and write times, magnetic tunnel junction magnetic random access memory could become a future mainstream memory technology.
Journal title
IEEE Circuits and Devices Magazine
Serial Year
2002
Journal title
IEEE Circuits and Devices Magazine
Record number
397501
Link To Document