Title of article
The science and technology of magnetoresistive tunneling memory
Author/Authors
Engel، نويسنده , , B.N.، نويسنده , , Rizzo، نويسنده , , N.D.، نويسنده , , Janesky، نويسنده , , J.، نويسنده , , Slaughter، نويسنده , , J.M.، نويسنده , , Dave، نويسنده , , R.، نويسنده , , DeHerrera، نويسنده , , M.، نويسنده , , Durlam، نويسنده , , M.، نويسنده , , Tehrani، نويسنده , , S.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages
7
From page
32
To page
38
Keywords
Magnetic film memories , Magnetic tunnel junction , magnetoresistive device , magnetoresistive random accessmemory (MRAM) , micromagnetic switching , MRAM integration , random access memories (RAMs).
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2002
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398290
Link To Document