Title of article :
Effects of oxidation process on the tunneling barrier structures in room-temperature operating silicon single-electron transistors
Author/Authors :
Saitoh، نويسنده , , M.، نويسنده , , Murakami، نويسنده , , T.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Keywords :
Room-temperature operation , thermal oxidation , thermally activated conduction , tunneling barrier height. , silicon single-electrontransistor (SET)
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
